【各人网科技概括报谈】8月23日音书，据韩国经济日报报谈，三星电子副总裁兼晶圆代工场PDK设备团队把持Sungjae Lee于当地时刻8月22日，先容了该公司在半导体期间领域的最新杂乱——BSPDN（后面供电收集）期间。这项革命期间将使2纳米芯片的尺寸消弱17%，同期竣事性能晋升8%、功耗镌汰15%的显耀优化。

Sungjae Lee暗示，BSPDN期间是一项进击的期间改良，它通过在芯片的后面构建供电收集，灵验地减小了芯片的尺寸，并晋升了其性能和能效。

他还显现，三星规划从2027年起，将BSPDN期间期骗于2纳米工艺的量产中。这意味着，在改日几年内，咱们将有望看到更小、更快、更节能的芯片居品问世，为电子修复的性能晋升和功耗镌汰带来全新的可能。